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    张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。

    “这个就是我们实验室的mocvd了！”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。

    顾律上下打量了这台设备一番。

    所谓的mocvd，是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

    该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种3-v主族、2-6副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

    上面说的有些复杂。

    简单来理解的话，就是通过这台mocvd设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的gan宽禁带半导体。

    这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

    顾律在国外见过这种设备。

    不过国内和国外的mocvd系统是有些区别的。

    因为mocvd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，所以国内和国外mocvd系统的主要区别在于反应室结构。

    在国外，反应室结构大多采用‘turbodisc反应’，而国内则是采用‘行星反应’。

    两者各有其优劣，说不上谁更好。

    但呈现在顾律面前的这台mocvd，虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构，但在设备的其他组成系统上，应该进行了深层次的优化。

    顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼，就得出一个这样的结论。

    “张主任，你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧，根据我的推测，这台mocvd不止最多可以同时生长两片1.5英寸的gan宽禁带半导体？”顾律说出自己的猜测。

    张主任竖起大拇指。

    “你说的没错。”张主任拍拍设备，语气略带得意的开口，“这台设备买回来后，我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下。”

    “你看着，在这块源供给系统部分，我们加了一个恒温器，可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压。”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍。

    “还有这。”张主任把顾律领到mocvd的背面，“这块是气体运输系统，原本这里是只有一条管道的。”

    “但是我们又增加了一条，这样的话，可以迅速变化反应室内的反应气体，并且还不会引起反应室内压力的变化！”

    张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改装情况。

    除了反应室系统仍旧选择行星反应之外，其余的几个部分的系统皆进行了一定程度的改装优化。

    “那……”

    顾律问出了自己最关心的问题，“那现在，这台设备最大的产量是多少？”
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